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PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

更新時(shí)間:2025-07-07點(diǎn)擊次數(shù):34

摘要


在半導(dǎo)體行業(yè)需要應(yīng)用ICP-MS監(jiān)測芯片制造 過程中的清洗液中磷的含量。磷的質(zhì)荷比為31 ,會(huì) 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子離子 的干擾 , 以至于背景信號(hào)特別高 ,檢出限難以滿足 要求 。 故本實(shí)驗(yàn)采用冷焰條件 , 通過P31O16測試 某芯片制造廣生產(chǎn)過程中的清洗液 。 檢出限低至 0.037ug/L , 同時(shí)對(duì)比了熱焰情況下 、 ICPMS的測 試結(jié)果及ICP-OES的測試結(jié)果 ,結(jié)果表明 , 三者結(jié)果相近。

PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

挑戰(zhàn)

通過P31O16測試P , 避免N15O16、

Si28H1、 N14O16H1的干擾 , 獲得 更低檢出限

基體

1%HNO3

目的

檢測低含量P


樣品和試劑



表 1 校準(zhǔn)曲線


PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

儀器方法



表2 PQMS配置參數(shù)


PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

結(jié)果



表3 測試結(jié)果


PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷


表4 標(biāo)準(zhǔn)曲線及LOD


PlasmaQuant MS分析芯片制造過程中清洗液中的磷

討論

本實(shí)驗(yàn)采用冷焰條件 ,通過P31O16測試某芯片制造廣生產(chǎn)過程中的清洗液。線性相關(guān) 系數(shù)0.999879 ,檢出限低至0.0374ug/L。 同時(shí)對(duì)比了冷焰條件、熱焰條件下ICPMS的測試結(jié) 果及ICP-OES的測試結(jié)果 ,結(jié)果表明 ,三者結(jié)果相近 ,充分證明了采用冷焰條件 ,通過測試 P31O16測試樣品中的P是一種可靠的方法。


產(chǎn)品介紹

PlasmaQuant MS 靈敏度可顯著提高樣品分析效率降低單樣品分析成本。設(shè)計(jì)的ICP-MS分析確保在極短的積分時(shí)間或大比例稀釋的前提下,依然可以獲得的檢出限和恒定的分析速率。這就保證了最大的樣品通量、分析結(jié)果的長期穩(wěn)定性及重復(fù)性,并顯著減少日常維護(hù)頻率。

優(yōu)勢:

· 超高靈敏度: 靈敏度【cps/ppm】低質(zhì)量數(shù):7Li ≥100 M,中質(zhì)量數(shù):115In ≥500 M,高質(zhì)量數(shù):238U ≥500 M; 氧化物產(chǎn)率(CeO+/Ce+):≤1.8 %

· 運(yùn)行成本:氬氣消耗降低50%

·高效:樣品分析速率提升 50%

· 穩(wěn)定:輕松應(yīng)對(duì)各種復(fù)雜基體,確保優(yōu)異的長期穩(wěn)定性

·靈活:根據(jù)不同應(yīng)用多樣化配置儀器





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